問答題簡述蒸發(fā)的優(yōu)缺點(diǎn)。
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最新試題
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)?
題型:問答題
什么是MOS器件的體效應(yīng)?
題型:問答題
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路,試分析兩者存在差異的原因。
題型:問答題
什么是無源電阻?什么是有源電阻?舉例說明。
題型:問答題
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類()。
題型:多項(xiàng)選擇題
設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路,寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
題型:問答題
MOS場效應(yīng)管(MOSFET)在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受,從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
題型:多項(xiàng)選擇題
由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容,這種電容稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
在晶體材料中,對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么?
題型:問答題