MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？