A、等于
B、大于
C、小于
D、同一波型的情況下相等
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A、等于入射角
B、等于折射角
C、與使用的耦合劑有關(guān)
D、與使用頻率有關(guān)
A、入射角
B、折射角
C、擴(kuò)散角
D、反射角
A、入射角
B、折射角
C、擴(kuò)散角
D、反射角
A、發(fā)散
B、擴(kuò)散
C、角度調(diào)整
D、反射
A、頻率或晶片直徑減少時增大
B、頻率或晶片直徑減少時減少
C、頻率增加而晶片直徑減少時減少
最新試題
按輻射安全管理規(guī)定,輻射作業(yè)場所每周應(yīng)進(jìn)行一次輻射劑量檢測。
下面列出的確定透照布置應(yīng)考慮的基本內(nèi)容中,錯誤的是()。
對含有內(nèi)穿過式線圈的薄壁管,影響其阻抗變化的因素有()
增加工藝性透視有利于保證焊接質(zhì)量,因此盡可能增加工藝性透視次數(shù)。
一次完整的補(bǔ)焊過程中缺陷是否排除X光透照確認(rèn)可以不限次數(shù),直至缺陷完全排除。
提出有效磁導(dǎo)率的是下列哪位科學(xué)家()
二次打底焊接或重熔排除,無需辦理相關(guān)手續(xù),直接使用前次的申請手續(xù)。
補(bǔ)焊次數(shù)的界定由工藝、檢驗負(fù)責(zé),對兩個補(bǔ)焊區(qū)交界部位補(bǔ)焊次數(shù)的界定,需要通過底片觀察提供幫助時,X光室應(yīng)予以配合。
像質(zhì)計放置次數(shù)一般應(yīng)與透照次數(shù)相同,相同部位、相同的透照條件連續(xù)透照時可適當(dāng)減少放置次數(shù).但不少于透照次數(shù)的三分之一。
觀察底片時,為能識別缺陷圖像,缺陷圖像對比度與圖像噪聲之比應(yīng)不小于識別閾值。