在超高真空下，利用薄膜組分元素受熱蒸發(fā)所形成的原子或分子數(shù)，直接射到沉底表面，形成外延層。
低于材料熔化溫度時(shí)，產(chǎn)生蒸汽的過(guò)程。
通過(guò)腐蝕，將光刻膠上圖形完整整地轉(zhuǎn)移到Si片上。
外延層與沉底的材料相同。
