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填空題擴(kuò)散分布的主要測(cè)量方法有：（）。

參考答案： 四探針測(cè)電阻率、擴(kuò)展電阻測(cè)載流子分布、霍爾效應(yīng)測(cè)電阻率、染色法測(cè)結(jié)深、二次離子質(zhì)譜測(cè)雜質(zhì)分布、盧瑟福背散射測(cè)重雜質(zhì)分布

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1.填空題擴(kuò)散的目的是為了實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體摻雜，雜質(zhì)擴(kuò)散的深度與（）有關(guān)，服從（）。雜質(zhì)擴(kuò)散通常分為等表面濃度擴(kuò)散，也（），和固定雜質(zhì)總量擴(kuò)散，也稱（）。預(yù)淀積的分布是（）函數(shù)，再分布擴(kuò)散的雜質(zhì)呈（）函數(shù)分布。

參考答案：雜質(zhì)濃度梯度、擴(kuò)散溫度、擴(kuò)散時(shí)間；費(fèi)克定律；預(yù)淀積；再分布擴(kuò)散；余誤差；高斯

2.填空題半導(dǎo)體的中，（）稱為費(fèi)米能級(jí)；對(duì)本征半導(dǎo)體，費(fèi)米能級(jí)位于（），表示（）。費(fèi)米能級(jí)靠近導(dǎo)帶，表示（），是（）型半導(dǎo)體；費(fèi)米能級(jí)靠近價(jià)帶，表示（），是（）型半導(dǎo)體。

參考答案：被電子占有的幾率為1/2的能級(jí)；禁帶中央；電子和空穴數(shù)相等；電子數(shù)多于空穴數(shù)；N；空穴數(shù)多于電子數(shù)；P

3.問答題畫出N型半導(dǎo)體的能帶圖和P型半導(dǎo)體的能帶圖。

參考答案：

4.填空題（）和（）是半導(dǎo)體的主要載流子，N型半導(dǎo)體中（）濃度高于（）濃度，而 P型半導(dǎo)體中（）濃度高于電子濃度，（）半導(dǎo)體中的兩種載流子濃度相等。

參考答案：電子；空穴；電子；空穴；空穴；本證

5.填空題半導(dǎo)體晶體的晶胞具有（）對(duì)稱性， Si、Ge 、GaAs 晶體為（）結(jié)構(gòu)。用（）h，k，l 表示晶胞晶面的方向。

參考答案：立方；金剛石；密勒指數(shù)