在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？

集成電容主要有幾種結構？

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？