問答題比較整版掩模和單片掩模的區(qū)別,并列舉三種掩模的制造方法。
您可能感興趣的試卷
最新試題
晶體管的名字取自于()和()兩詞。
題型:多項選擇題
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)?
題型:問答題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。
題型:問答題
試用電導(dǎo)率為102/(Ω·cm),厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻,設(shè)電阻寬1μm,求其長。
題型:問答題
由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容,這種電容稱為()。
題型:單項選擇題
從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過()等步驟。
題型:多項選擇題
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的()材料等。
題型:多項選擇題
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)?
題型:問答題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么?
題型:問答題
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類()。
題型:多項選擇題