老色鬼久久亚洲av综合,97超碰福利久久精品

問(wèn)答題本征層厚度為3mm的一個(gè)380mm²的平面Ge（Li）探測(cè)器對(duì)距它表面100㎜處0.25MBq的¹³⁷Csγ射線源測(cè)量5min所得的全能峰、單逃逸峰、雙逃逸峰下面的計(jì)數(shù)（R＝20/1）。

參考答案：

您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.問(wèn)答題一個(gè)Ge（Li）探頭相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)Φ7.62cm×6.62cm的NaI（T1）閃爍體有8％的光電峰效率。求對(duì)于距探測(cè)器40㎝處一個(gè)3.7×10⁷Bq的⁶⁰Co點(diǎn)源的1.33MeV全能峰計(jì)數(shù)率。

參考答案：

2.問(wèn)答題 試就以下條件畫(huà)出硅面壘探測(cè)器的期望微分脈沖幅度譜：
（a）5MeV入射α粒子，探測(cè)器的耗盡深度大于α粒子的射程。
（b）5MeVα粒子，探測(cè)器的耗盡深度為α粒子射程之半。
（c）情況同（a），但5MeVα粒子已經(jīng)經(jīng)過(guò)一塊吸收體，其厚度等于該物質(zhì)中α射程的一半。

參考答案：

3.問(wèn)答題當(dāng)α粒子被準(zhǔn)直得垂直于金硅面壘探測(cè)器的表面時(shí)，²⁴¹Am刻度源的主要α射線峰中心位于多道分析器的461道。然后改變幾何條件，使α粒子偏離法線35°角入射，此時(shí)，峰位移到449道，試求死層厚度（以α粒子粒子能量損失表示）。

參考答案：

4.問(wèn)答題使用一個(gè)完全耗盡了的0.1mm厚的硅探測(cè)器，若偏壓大到足夠使載流子速度處出飽和，估算電子和空穴的最大收集時(shí)間。

參考答案：

5.問(wèn)答題死時(shí)間分別為30μs和100μs的探測(cè)器A和B，若B探測(cè)器的死時(shí)間漏計(jì)數(shù)率是A探測(cè)器死時(shí)間漏計(jì)數(shù)率的兩倍，求應(yīng)測(cè)的計(jì)數(shù)率是多少？

參考答案：