單項(xiàng)選擇題下列何種二極管的空乏區(qū)最窄？（）

A.發(fā)光二極管
B.透納二極管
C.變?nèi)荻O管
D.稽納二極管


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1.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)（depletion layer），利用空乏區(qū)可做成（）

A.壓控電容
B.壓控電阻
C.壓控電感
D.以上皆非

2.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)（depletion layer），在何種情況下更明顯（）

A.斷路時
B.短路時
C.順向偏壓時
D.逆向偏壓時

3.單項(xiàng)選擇題一般硅質(zhì)二極管導(dǎo)通時，兩端的電位差為？（）

A.1.2V
B.0.9V
C.0.6V
D.0.2V

5.單項(xiàng)選擇題N型半導(dǎo)體內(nèi)的電洞為（）

A.少數(shù)載子，由熱所產(chǎn)生
B.少數(shù)載子，由摻雜所產(chǎn)生
C.多數(shù)載子，由熱所產(chǎn)生
D.多數(shù)載子，由摻雜所產(chǎn)生