單項選擇題半導(dǎo)體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)（depletion layer），利用空乏區(qū)可做成（）
A.壓控電容
B.壓控電阻
C.壓控電感
D.以上皆非
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1.單項選擇題半導(dǎo)體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)（depletion layer），在何種情況下更明顯（）
A.斷路時
B.短路時
C.順向偏壓時
D.逆向偏壓時
2.單項選擇題一般硅質(zhì)二極管導(dǎo)通時，兩端的電位差為？（）
A.1.2V
B.0.9V
C.0.6V
D.0.2V
3.單項選擇題稽納二極管順向?qū)妷簽?？（?/a>
A.0.6V
B.3V
C.6V
D.10V
4.單項選擇題N型半導(dǎo)體內(nèi)的電洞為（）
A.少數(shù)載子，由熱所產(chǎn)生
B.少數(shù)載子，由摻雜所產(chǎn)生
C.多數(shù)載子，由熱所產(chǎn)生
D.多數(shù)載子，由摻雜所產(chǎn)生
5.單項選擇題一般PN二極管兩端的順向偏壓隨溫度的變化量約為（）
A.-2.5mV/℃
B.-25mV/℃
C.+2.5mV/℃
D.+25mV/℃
E..+0.25mV/℃。
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