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填空題
CMOS工藝中，阱注入的計(jì)量為（）量級；源、漏注入的劑量為（）量級；開啟調(diào)整的注入劑量為（）量級；場注入的的劑量為（）量級；離子束合成SOI材料SIMOX的O⁺注入計(jì)量為（）量級。
答案：10¹²/cm²；10¹⁵/cm²；10¹¹/cm²；10¹³/cm²；10¹⁸/cm²
填空題
淺結(jié)制備的常用方法是：（）、（）加（）。而（）型淺結(jié)比（）型淺結(jié)更難制備。P型淺結(jié)常用（）、（）、（）來獲得。
答案：降低注入離子能量；分子離子注入；快速熱退火；P；n；BF₂⁺離子替代B⁺注入；降低B⁺注入能量；硅注入表面預(yù)非晶化
填空題
為了降低注入離子對襯底由于熱沉積產(chǎn)生的溫升，在高劑量、大束流離子注入時(shí)，可以采用（）掃描方式，在低劑量、小束流時(shí)一般用（）方式注入。
答案：混合；全電掃描
填空題
離子注入機(jī)的對Si襯底作P型摻雜的源氣常用（），N型摻雜的源氣常用（）和（）。對GaAs做N型摻雜的源氣常用（）
答案：BF₃；PH₅；AsH₅；SiH₄
填空題
（）稱為溝道效應(yīng)，可以用（）、（）和（）來避免。其中，（）是最常用的方法。
答案：沿晶體溝道注入離子的射程遠(yuǎn)大于隨機(jī)方向注入離子射程的現(xiàn)象；硅片相對注入束偏轉(zhuǎn)5-7°的注入角；表面生長氧化層；硅注入表面...
填空題
注入離子的射程主要由（）決定。確定注入離子分布的主要參數(shù)是（）及其（）。注入離子分布的一級近似為（）。可寫成：
答案：離子能量、離子種類和襯底材料；平均投影射程；標(biāo)準(zhǔn)偏差；高斯分布
填空題
CMOS集成電路的柵氧化層要求：（）。通常用（）氧化降低其界面態(tài)密度，用（）氧化降低其針孔密度和提高介電擊穿強(qiáng)度。
答案：針孔密度低、界面態(tài)密度低、可動(dòng)電荷密度低和固定電荷密度低、介電擊穿高；含Cl；含N
填空題
用C-V測試可以測定二氧化硅薄膜的：（）
答案：界面態(tài)密度、可動(dòng)電荷密度和固定電荷密度
填空題
氧化層厚度的測量方法主要有：（）。
答案：比色法、橢圓偏振儀測試法、臺階測試、相干光波長差測量、擴(kuò)展電阻測試、掃描電鏡測量
填空題
氧化時(shí)（）稱為分凝效應(yīng)。B在氧化硅中的含量高于Si襯底中的含量，分凝系數(shù)（）1；P、As在氧化硅中的含量低于Si襯底中含量，分凝系數(shù)（）1。
答案：硅中的雜質(zhì)濃度與SiO₂中濃度出現(xiàn)差別的現(xiàn)象；小于；大于

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快速熱處理設(shè)備（RTP）的主要熱交換機(jī)制是（），常用熱源是（）。RTP的主要優(yōu)點(diǎn)是（）。

你可能感興趣的試題

CMOS工藝中，阱注入的計(jì)量為（）量級；源、漏注入的劑量為（）量級；開啟調(diào)整的注入劑量為（）量級；場注入的的劑量為（）量級；離子束合成SOI材料SIMOX的O⁺注入計(jì)量為（）量級。

淺結(jié)制備的常用方法是：（）、（）加（）。而（）型淺結(jié)比（）型淺結(jié)更難制備。P型淺結(jié)常用（）、（）、（）來獲得。

為了降低注入離子對襯底由于熱沉積產(chǎn)生的溫升，在高劑量、大束流離子注入時(shí)，可以采用（）掃描方式，在低劑量、小束流時(shí)一般用（）方式注入。

離子注入機(jī)的對Si襯底作P型摻雜的源氣常用（），N型摻雜的源氣常用（）和（）。對GaAs做N型摻雜的源氣常用（）

（）稱為溝道效應(yīng)，可以用（）、（）和（）來避免。其中，（）是最常用的方法。

注入離子的射程主要由（）決定。確定注入離子分布的主要參數(shù)是（）及其（）。注入離子分布的一級近似為（）。可寫成：

CMOS集成電路的柵氧化層要求：（）。通常用（）氧化降低其界面態(tài)密度，用（）氧化降低其針孔密度和提高介電擊穿強(qiáng)度。

用C-V測試可以測定二氧化硅薄膜的：（）

氧化層厚度的測量方法主要有：（）。

氧化時(shí)（）稱為分凝效應(yīng)。B在氧化硅中的含量高于Si襯底中的含量，分凝系數(shù)（）1；P、As在氧化硅中的含量低于Si襯底中含量，分凝系數(shù)（）1。

快速熱處理設(shè)備（RTP）的主要熱交換機(jī)制是（），常用熱源是（）。RTP的主要優(yōu)點(diǎn)是 （）。

你可能感興趣的試題

CMOS工藝中，阱注入的計(jì)量為（）量級；源、漏注入的劑量為（）量級；開啟調(diào)整的注入劑量為（）量級 ；場注入的的劑量為（）量級；離子束合成SOI材料SIMOX的O+注入計(jì)量為（）量級。

淺結(jié)制備的常用方法是：（）、（）加（）。而（）型淺結(jié)比（）型淺結(jié)更難制備。P型淺結(jié)常用（）、（）、（）來獲得。

為了降低注入離子對襯底由于熱沉積產(chǎn)生的溫升，在高劑量、大束流離子注入時(shí)，可以采用（）掃描方式，在低劑量、小束流時(shí)一般用（）方式注入。

離子注入機(jī)的對Si襯底作P型摻雜的源氣常用（），N型摻雜的源氣常用（）和（）。對GaAs做N型摻雜的源氣常用（）

（）稱為溝道效應(yīng)，可以用（）、（）和（）來避免。其中，（）是最常用的方法。

注入離子的射程主要由（）決定。確定注入離子分布的主要參數(shù)是（）及其（）。注入離子分布的一級近似為（）。可寫成：

CMOS集成電路的柵氧化層要求：（）。通常用（）氧化降低其界面態(tài)密度，用（）氧化降低其針孔密度和提高介電擊穿強(qiáng)度。

用C-V測試可以測定二氧化硅薄膜的：（）

氧化層厚度的測量方法主要有：（）。

氧化時(shí)（）稱為分凝效應(yīng)。B在氧化硅中的含量高于Si襯底中的含量，分凝系數(shù)（）1；P、As在氧化硅中的含量低于Si襯底中含量，分凝系數(shù)（）1。

快速熱處理設(shè)備（RTP）的主要熱交換機(jī)制是（），常用熱源是（）。RTP的主要優(yōu)點(diǎn)是（）。

CMOS工藝中，阱注入的計(jì)量為（）量級；源、漏注入的劑量為（）量級；開啟調(diào)整的注入劑量為（）量級；場注入的的劑量為（）量級；離子束合成SOI材料SIMOX的O⁺注入計(jì)量為（）量級。

淺結(jié)制備的常用方法是：（）、（）加（）。而（）型淺結(jié)比（）型淺結(jié)更難制備。P型淺結(jié)常用（）、（）、（）來獲得。

為了降低注入離子對襯底由于熱沉積產(chǎn)生的溫升，在高劑量、大束流離子注入時(shí)，可以采用（）掃描方式，在低劑量、小束流時(shí)一般用（）方式注入。

離子注入機(jī)的對Si襯底作P型摻雜的源氣常用（），N型摻雜的源氣常用（）和（）。對GaAs做N型摻雜的源氣常用（）

（）稱為溝道效應(yīng)，可以用（）、（）和（）來避免。其中，（）是最常用的方法。

注入離子的射程主要由（）決定。確定注入離子分布的主要參數(shù)是（）及其（）。注入離子分布的一級近似為（）。可寫成：

CMOS集成電路的柵氧化層要求：（）。通常用（）氧化降低其界面態(tài)密度，用（）氧化降低其針孔密度和提高介電擊穿強(qiáng)度。

氧化層厚度的測量方法主要有：（）。

氧化時(shí)（）稱為分凝效應(yīng)。B在氧化硅中的含量高于Si襯底中的含量，分凝系數(shù)（）1；P、As在氧化硅中的含量低于Si襯底中含量，分凝系數(shù)（）1。