單項(xiàng)選擇題TO-3包裝之功率晶體管,其外殼為()
A.集極
B.射極
C.基底(substrate)
D.基極
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1.單項(xiàng)選擇題典型金氧半晶體管(MOSFET)的閘極輸入端電阻值約為多少奧姆?()
A.108
B.109
C.1010
D.1014
2.單項(xiàng)選擇題輸入電阻最高的放大器是()
A.MOSFET源極隨耦器
B.射極耦合器
C.達(dá)靈頓射極耦合器
D.晶體管靴帶式放大器
3.單項(xiàng)選擇題2SK19為()
A.BJT
B.JFET
C.SCR
D.UJT
4.單項(xiàng)選擇題下列何種裝置有熱跑脫現(xiàn)象?()
A.N通道FET
B.P通道FET
C.雙極性晶體管
D.單極性晶體管
5.單項(xiàng)選擇題晶體管交換電路的速率,主要是由什么極的儲(chǔ)藏次載子放電速率來決定?()
A.集極與射極
B.基極
C.射極
D.集極
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下列哪項(xiàng)描述最符合傳感器的定義?()
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非門電路(NOT Gate)的主要功能是什么?()
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題型:單項(xiàng)選擇題