<pre id="ktett"><thead id="ktett"></thead></pre>

<samp id="ktett"><listing id="ktett"><dl id="ktett"></dl></listing></samp>

問答題

【計算題】設有一半導體鍺組成的突變pn結，已知n區(qū)施主濃度N_D=10¹⁵/cm³，p區(qū)受主濃度N_A=10¹⁷/cm³，試求室溫（300K）下該pn結的接觸電勢差V_D。

答案：

你可能感興趣的試題

【計算題】假設Si中空穴濃度是線性分布，在4µm內(nèi)的濃度差為2×10¹⁶cm^-3，試計算空穴的擴散電流密度。

答案：

【計算題】試求本征硅在室溫（300K）時的電導率σ_i。設電子遷移率μ_n和空穴遷移率μ_p分別為1350cm²/Vs和500cm²/Vs，本征載流子濃度n_i=1.510¹⁰/cm³。當摻入百萬分之一的砷（As）后，電子遷移率降低為850cm²/Vs，設雜質(zhì)全部電離，忽略少子的貢獻，計算其電導率σ，并與本征電導率σ_i作比較。（硅的原子密度為510²²/cm³

答案：

<table id="uvcam"><wbr id="uvcam"><ins id="uvcam"></ins></wbr></table>

<samp id="uvcam"><tbody id="uvcam"><dl id="uvcam"></dl></tbody></samp>