問答題

【計算題】試求本征硅在室溫（300K）時的電導率σi。設(shè)電子遷移率μn和空穴遷移率μp分別為1350cm2/Vs和500cm2/Vs，本征載流子濃度ni=1.5*1010/cm3。當摻入百萬分之一的砷（As）后，電子遷移率降低為850cm2/Vs，設(shè)雜質(zhì)全部電離，忽略少子的貢獻，計算其電導率σ，并與本征電導率σi作比較。（硅的原子密度為5*1022/cm3

答案：

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