你可能感興趣的試題

判斷題
在一定照射劑量范圍內(nèi)，探測(cè)器規(guī)格化信噪比隨照射劑量平方根增大而增大。
答案：正確
判斷題
非晶硅輻射探測(cè)器的基本空間分辨率，由其像素尺寸決定。
答案：錯(cuò)誤
判斷題
CCD和CMOS輻射探測(cè)器，都采用閃爍體將射線轉(zhuǎn)換為光，然后由感光器件將光信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)。
答案：正確
判斷題
非晶硒分立輻射探測(cè)器，主要結(jié)構(gòu)包括非晶硅硒光電二極管陣列、TFT陣列和讀出電路，它是一種直接轉(zhuǎn)換型輻射探測(cè)器。
答案：正確
判斷題
在非晶硅分立輻射探測(cè)器中，入射射線由非晶硅光電二極管陣列轉(zhuǎn)換為測(cè)量信號(hào)。
答案：錯(cuò)誤
判斷題
非晶硅輻射探測(cè)器由閃爍體、非晶硅層（光電二極管陣列）、TFT陣列（大面積薄膜晶體管陣列）等構(gòu)成。它是一種直接轉(zhuǎn)換的輻射探測(cè)器。
答案：錯(cuò)誤
判斷題
半導(dǎo)體輻射探測(cè)器的基本結(jié)構(gòu)是PN結(jié)，在輻射照射下可產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，在電場(chǎng)作用下可引起電信號(hào)。
答案：正確
判斷題
閃爍現(xiàn)象是指高能粒子照射物質(zhì)時(shí)引起瞬時(shí)閃光的現(xiàn)象，可以產(chǎn)生閃爍現(xiàn)象的物質(zhì)稱為閃爍體。
答案：正確
判斷題
在氣體輻射探測(cè)器內(nèi)，輻射能量可使氣體電離，通過測(cè)量電離產(chǎn)生的離子對(duì)實(shí)現(xiàn)對(duì)輻射的測(cè)量。
答案：正確
判斷題
輻射探測(cè)器，按原理可分為三類：氣體輻射探測(cè)器、閃爍輻射探測(cè)器、半導(dǎo)體輻射探測(cè)器。
答案：正確

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目前的IP板分類類別由IP板本身性能決定，與使用的掃描讀出裝置無關(guān)。

你可能感興趣的試題

在一定照射劑量范圍內(nèi)，探測(cè)器規(guī)格化信噪比隨照射劑量平方根增大而增大。

非晶硅輻射探測(cè)器的基本空間分辨率，由其像素尺寸決定。

CCD和CMOS輻射探測(cè)器，都采用閃爍體將射線轉(zhuǎn)換為光，然后由感光器件將光信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)。

非晶硒分立輻射探測(cè)器，主要結(jié)構(gòu)包括非晶硅硒光電二極管陣列、TFT陣列和讀出電路，它是一種直接轉(zhuǎn)換型輻射探測(cè)器。

在非晶硅分立輻射探測(cè)器中，入射射線由非晶硅光電二極管陣列轉(zhuǎn)換為測(cè)量信號(hào)。

非晶硅輻射探測(cè)器由閃爍體、非晶硅層（光電二極管陣列）、TFT陣列（大面積薄膜晶體管陣列）等構(gòu)成。它是一種直接轉(zhuǎn)換的輻射探測(cè)器。

半導(dǎo)體輻射探測(cè)器的基本結(jié)構(gòu)是PN結(jié)，在輻射照射下可產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，在電場(chǎng)作用下可引起電信號(hào)。

閃爍現(xiàn)象是指高能粒子照射物質(zhì)時(shí)引起瞬時(shí)閃光的現(xiàn)象，可以產(chǎn)生閃爍現(xiàn)象的物質(zhì)稱為閃爍體。

在氣體輻射探測(cè)器內(nèi)，輻射能量可使氣體電離，通過測(cè)量電離產(chǎn)生的離子對(duì)實(shí)現(xiàn)對(duì)輻射的測(cè)量。

輻射探測(cè)器，按原理可分為三類：氣體輻射探測(cè)器、閃爍輻射探測(cè)器、半導(dǎo)體輻射探測(cè)器。

目前的IP板分類類別由IP板本身性能決定，與使用的掃描讀出裝置無關(guān)。

你可能感興趣的試題

在一定照射劑量范圍內(nèi)，探測(cè)器規(guī)格化信噪比隨照射劑量平方根增大而增大。

非晶硅輻射探測(cè)器的基本空間分辨率，由其像素尺寸決定。

CCD和CMOS輻射探測(cè)器，都采用閃爍體將射線轉(zhuǎn)換為光，然后由感光器件將光信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)。

非晶硒分立輻射探測(cè)器，主要結(jié)構(gòu)包括非晶硅硒光電二極管陣列、TFT陣列和讀出電路，它是一種直接轉(zhuǎn)換型輻射探測(cè)器。

在非晶硅分立輻射探測(cè)器中，入射射線由非晶硅光電二極管陣列轉(zhuǎn)換為測(cè)量信號(hào)。

非晶硅輻射探測(cè)器由閃爍體、非晶硅層（光電二極管陣列）、TFT陣列（大面積薄膜晶體管陣列）等構(gòu)成。它是一種直接轉(zhuǎn)換的輻射探測(cè)器。

半導(dǎo)體輻射探測(cè)器的基本結(jié)構(gòu)是PN結(jié)，在輻射照射下可產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，在電場(chǎng)作用下可引起電信號(hào)。

閃爍現(xiàn)象是指高能粒子照射物質(zhì)時(shí)引起瞬時(shí)閃光的現(xiàn)象，可以產(chǎn)生閃爍現(xiàn)象的物質(zhì)稱為閃爍體。

在氣體輻射探測(cè)器內(nèi)，輻射能量可使氣體電離，通過測(cè)量電離產(chǎn)生的離子對(duì)實(shí)現(xiàn)對(duì)輻射的測(cè)量。

輻射探測(cè)器，按原理可分為三類：氣體輻射探測(cè)器、閃爍輻射探測(cè)器、半導(dǎo)體輻射探測(cè)器。

目前的IP板分類類別由IP板本身性能決定，與使用的掃描讀出裝置無關(guān)。

在一定照射劑量范圍內(nèi)，探測(cè)器規(guī)格化信噪比隨照射劑量平方根增大而增大。

非晶硅輻射探測(cè)器的基本空間分辨率，由其像素尺寸決定。

CCD和CMOS輻射探測(cè)器，都采用閃爍體將射線轉(zhuǎn)換為光，然后由感光器件將光信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)。

非晶硒分立輻射探測(cè)器，主要結(jié)構(gòu)包括非晶硅硒光電二極管陣列、TFT陣列和讀出電路，它是一種直接轉(zhuǎn)換型輻射探測(cè)器。

在非晶硅分立輻射探測(cè)器中，入射射線由非晶硅光電二極管陣列轉(zhuǎn)換為測(cè)量信號(hào)。

非晶硅輻射探測(cè)器由閃爍體、非晶硅層（光電二極管陣列）、TFT陣列（大面積薄膜晶體管陣列）等構(gòu)成。它是一種直接轉(zhuǎn)換的輻射探測(cè)器。

半導(dǎo)體輻射探測(cè)器的基本結(jié)構(gòu)是PN結(jié)，在輻射照射下可產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，在電場(chǎng)作用下可引起電信號(hào)。

閃爍現(xiàn)象是指高能粒子照射物質(zhì)時(shí)引起瞬時(shí)閃光的現(xiàn)象，可以產(chǎn)生閃爍現(xiàn)象的物質(zhì)稱為閃爍體。

在氣體輻射探測(cè)器內(nèi)，輻射能量可使氣體電離，通過測(cè)量電離產(chǎn)生的離子對(duì)實(shí)現(xiàn)對(duì)輻射的測(cè)量。

輻射探測(cè)器，按原理可分為三類：氣體輻射探測(cè)器、閃爍輻射探測(cè)器、半導(dǎo)體輻射探測(cè)器。