問(wèn)答題名詞解釋：CVD、LPCVD、PECVD、VPE、BPSG。（將這些名詞翻譯成中文并做出解釋）。
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1.問(wèn)答題例舉高k介質(zhì)和低k介質(zhì)在集成電路工藝中的作用。
2.問(wèn)答題描述CVD反應(yīng)中的8個(gè)步驟。
3.問(wèn)答題例舉淀積的5種主要技術(shù)。
5.問(wèn)答題例舉并描述薄膜生長(zhǎng)的三個(gè)階段。
最新試題
例出光刻的8個(gè)步驟，并對(duì)每一步做出簡(jiǎn)要解釋。
題型：?jiǎn)柎痤}
解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機(jī)理和物理機(jī)理。
題型：?jiǎn)柎痤}
定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
什么是摻雜？例舉四種常用的摻雜雜質(zhì)并說(shuō)明它們是n型還是p型？
題型：?jiǎn)柎痤}
在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
描述RF濺射系統(tǒng)。
題型：?jiǎn)柎痤}
例舉離子注入工藝和擴(kuò)散工藝相比的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
題型：?jiǎn)柎痤}
描述化學(xué)機(jī)械平坦化工藝。
題型：?jiǎn)柎痤}
解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}