封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。