單項(xiàng)選擇題

理想二極管組成的電路如下圖所示，其AB兩端的電壓是（）

A.—12V；
B.—6V；
C.+6V；
D.+12V。


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1.單項(xiàng)選擇題晶體三極管的飽和條件，下列說法正確的是（）

A.發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏；
B.發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏；
C.發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)正偏；
D.發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏。

2.單項(xiàng)選擇題晶體三極管的截止條件，下列說法正確的是（）

A.發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏；
B.發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏；
C.發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)正偏；
D.發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏。

3.單項(xiàng)選擇題晶體三極管用于放大的條件，下列說法正確的是（）

A.發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏；
B.發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏；
C.發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)正偏；
D.發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏；

4.單項(xiàng)選擇題在摻雜后的半導(dǎo)體中，其導(dǎo)電能力的大小的說法正確的是（）

A.摻雜的工藝；
B.雜質(zhì)的濃度；
C.溫度；
D.晶體的缺陷。

5.單項(xiàng)選擇題N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中加入下列（）物質(zhì)而形成的

A.電子；
B.空穴；
C.三價(jià)元素；
D.五價(jià)元素。