單項(xiàng)選擇題晶體三極管的飽和條件，下列說(shuō)法正確的是（）

A.發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏；
B.發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏；
C.發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)正偏；
D.發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏。


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1.單項(xiàng)選擇題晶體三極管的截止條件，下列說(shuō)法正確的是（）

A.發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏；
B.發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏；
C.發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)正偏；
D.發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏。

2.單項(xiàng)選擇題晶體三極管用于放大的條件，下列說(shuō)法正確的是（）

A.發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏；
B.發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏；
C.發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)正偏；
D.發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏；

3.單項(xiàng)選擇題在摻雜后的半導(dǎo)體中，其導(dǎo)電能力的大小的說(shuō)法正確的是（）

A.摻雜的工藝；
B.雜質(zhì)的濃度；
C.溫度；
D.晶體的缺陷。

4.單項(xiàng)選擇題N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中加入下列（）物質(zhì)而形成的

A.電子；
B.空穴；
C.三價(jià)元素；
D.五價(jià)元素。

5.單項(xiàng)選擇題對(duì)本征半導(dǎo)體中的價(jià)電子的說(shuō)法，正確的是（）

A.給本征半導(dǎo)體加上一定的能量，則價(jià)電子就能成為自由電子；
B.給本征半導(dǎo)體不加能量，則價(jià)電子也能成為自由電子；
C.給本征半導(dǎo)體加上一定的能量，則價(jià)電子也不能成為自由電子；
D.以上所有說(shuō)法都不正確。