A.計算DRR
B.進行劑量計算
C.使圖像更清晰
D.便于勾畫輪廓
E.增加像素單元數(shù)
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A.基礎(chǔ)環(huán)
B.面罩
C.定位框架
D.擺位框架
E.CT/MRI適配器
A.K層
B.L層
C.M層
D.N層
E.O層
A.射野均整度
B.射野對稱性
C.射線的平均能
D.射線的輻射質(zhì)
E.射線的穿透性
A.處方劑量12~25Gy:病灶越大,處方劑量越小
B.主要適用于功能性失調(diào)、血管畸形、一些良性腫瘤和遠處轉(zhuǎn)移病灶的治療
C.偶爾用于惡性顱內(nèi)腫瘤常規(guī)放射治療后的劑量推量
D.處方劑量為0.5~2Gy:病灶越大,處方劑量越小
E.可以應(yīng)用于腦垂體瘤的治療
A.校準(zhǔn)系數(shù)
B.半值深度
C.水表面的平均能量
D.實際射程
E.水下的平均能量
最新試題
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變越小。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡稱分別為QA、QC。
半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
關(guān)于曼徹斯特系統(tǒng)的描述錯誤的是()。
射野中心軸上百分深度劑量值的大小直接反應(yīng)了射線質(zhì)(能量)的高低。
電離室型劑量儀在每次測量前必需對氣溫和氣壓進行修正。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動能率相等。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時,應(yīng)采用雙平面插植。
關(guān)于組織補償?shù)拿枋觯e誤的是()。