A.1/5;
B.1/10;
C.1/20;
D.1/15。
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你可能感興趣的試題
A.在最高;
B.一般只在基本;
C.在最低;
D.在任何。
A.彈性力的穩(wěn)定性;
B.外界腐蝕氣體的抗腐蝕能力;
C.將被測(cè)量轉(zhuǎn)換為力時(shí)所具有的準(zhǔn)確性;
D.良好的焊接性。
A.0.5;
B.5;
C.10;
D.20。
A.等于;
B.小于;
C.大于;
D.均等于。
A.500V;
B.1000V;
C.2500V;
D.5000V。
最新試題
在焊接CMOS電路時(shí),下述使用電烙鐵方法正確的是()。
用直流數(shù)字電壓表間接測(cè)量變送器輸出電流時(shí),其采樣電阻的誤差應(yīng)不超過(guò)被檢變送器基本誤差極限值的()。
晶體管的關(guān)閉時(shí)間
一電壓表頭指針不在起始位置,用該表頭測(cè)量其電壓引的誤差是()。
印制電路板焊接、調(diào)試好后,浸絕緣漆是為()。
測(cè)量額定電壓大于500V的電氣設(shè)備絕緣電阻,應(yīng)選擇()絕緣電阻表。
晶體管的開(kāi)通時(shí)間
用兩個(gè)或多個(gè)電容器串聯(lián),可以提高其()。
當(dāng)用誤差為±0.01%的標(biāo)準(zhǔn)DVM檢定誤差為±0.02%的被檢DVM時(shí),檢定結(jié)果最大誤差為±0.015%,判定該被檢表()。
元器件在未經(jīng)過(guò)老化前,在室溫條件,借助于各種測(cè)試儀器,按工藝規(guī)定的項(xiàng)目測(cè)試元器件的參數(shù)屬于篩選過(guò)程中的()。