互連工藝中AL的制備可選用（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。