制造硅半導(dǎo)體器體中，常使硼擴散到硅單晶中，若在1600K溫度下，保持硼在硅單晶表面的濃度恒定（恒定源半無限擴散），要求距表面10-3cm深度處硼的濃度是表面濃度的一半，問需要多長時間（已知D1600℃＝8×10-12cm2/s；當(dāng)）？
最新試題
下列屬于高分子近程結(jié)構(gòu)的有（）
按性能分可將復(fù)合材料分為（）
特種陶瓷的氣孔率在什么范圍？（）
軟磁材料容易反復(fù)磁化，且在外磁場去掉后容易退磁。
根據(jù)單體和聚合物之間組成的差異，可將聚合反應(yīng)分為（）
）？
