制造硅半導(dǎo)體器體中，常使硼擴(kuò)散到硅單晶中，若在1600K溫度下，保持硼在硅單晶表面的濃度恒定（恒定源半無(wú)限擴(kuò)散），要求距表面10-3cm深度處硼的濃度是表面濃度的一半，問需要多長(zhǎng)時(shí)間（已知D1600℃＝8×10-12cm2/s；當(dāng)）？
已知?dú)浜玩囋诿嫘牧⒎借F中的擴(kuò)散數(shù)據(jù)為cm2/s和cm2/s試計(jì)算1000℃的擴(kuò)散系數(shù)，并對(duì)其差別進(jìn)行解釋
原因：與鎳原子相比氫原子小得多，更容易在面心立方的鐵中通過空隙擴(kuò)散
最新試題
以下屬于干法成型的方法有（）
-A-A-A-A-B-B-B-B-B-A-A-A-A-屬于（）共聚物。
復(fù)合材料具有哪些特點(diǎn)？（）
納米粒子的效應(yīng)有（）
根據(jù)冷卻速度的不同，可得到珠光體、貝氏體和馬氏體三種不同的熱處理組織。低溫、中溫和高溫相應(yīng)的轉(zhuǎn)變產(chǎn)物為（）
）？
cm2/s和
cm2/s試計(jì)算1000℃的擴(kuò)散系數(shù)，并對(duì)其差別進(jìn)行解釋
