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單項(xiàng)選擇題EPROM的特點(diǎn)是（）。

A.一種掩膜式ROM，數(shù)據(jù)由廠家出廠時(shí)寫(xiě)好，用戶不能更改
B.一種可編程的ROM，可由用戶自己編寫(xiě)，但只能編寫(xiě)一次
C.一種電可擦除的ROM，用電子的形式擦除數(shù)據(jù)，用戶可編程多次
D.一種可擦寫(xiě)的ROM，用紫外線照射擦除，用戶可編程多次

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1.單項(xiàng)選擇題若IEEE754單精度格式為（-1）s×（1.M）×2E-127，則十進(jìn)制數(shù)0.625表示成754標(biāo)準(zhǔn)的十六進(jìn)制數(shù)據(jù)為（）。

A.3F200000H
B.BF200000H
C.3F400000H
D.BF400000H

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2.單項(xiàng)選擇題若IEEE754單精度格式為（-1）s×（1.M）×2E-127，則十進(jìn)制數(shù)3/4表示成754標(biāo)準(zhǔn)的十六進(jìn)制數(shù)據(jù)為（）。

A.3F200000H
B.BF200000H
C.3F400000H
D.BF400000H

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3.單項(xiàng)選擇題若IEEE754單精度格式為（-1）s×（1.M）×2E-127，則十進(jìn)制數(shù)-3/4表示成754標(biāo)準(zhǔn)的十六進(jìn)制數(shù)據(jù)為（）。

A.3F200000H
B.BF200000H
C.3F400000H
D.BF400000H

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4.單項(xiàng)選擇題若地址總線為A15（高位）～A0（低位），若用2KB的存儲(chǔ)芯片組成8KB存儲(chǔ)器，則加在各存儲(chǔ)芯片上的地址線是（）。

A.A11～A0
B.A10～A0
C.A9～A0
D.A8～A0

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5.單項(xiàng)選擇題在存儲(chǔ)器堆棧結(jié)構(gòu)中，堆棧指針SP的內(nèi)容是（）。

A.棧頂單元地址
B.棧底單元地址
C.棧頂單元內(nèi)容
D.棧底單元內(nèi)容

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