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單項選擇題若IEEE754單精度格式為（-1）s×（1.M）×2E-127，則十進制數(shù)3/4表示成754標(biāo)準(zhǔn)的十六進制數(shù)據(jù)為（）。

A.3F200000H
B.BF200000H
C.3F400000H
D.BF400000H

1.單項選擇題若IEEE754單精度格式為（-1）s×（1.M）×2E-127，則十進制數(shù)-3/4表示成754標(biāo)準(zhǔn)的十六進制數(shù)據(jù)為（）。

A.3F200000H
B.BF200000H
C.3F400000H
D.BF400000H

2.單項選擇題若地址總線為A15（高位）～A0（低位），若用2KB的存儲芯片組成8KB存儲器，則加在各存儲芯片上的地址線是（）。

A.A11～A0
B.A10～A0
C.A9～A0
D.A8～A0

3.單項選擇題在存儲器堆棧結(jié)構(gòu)中，堆棧指針SP的內(nèi)容是（）。

A.棧頂單元地址
B.棧底單元地址
C.棧頂單元內(nèi)容
D.棧底單元內(nèi)容

4.單項選擇題若存儲器的容量為16KB，則訪問它的地址線應(yīng)有（）。

A.4根
B.10根
C.14根
D.16根

5.單項選擇題靜態(tài)RAM存儲信息依靠的是（）。

A.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
B.磁場
C.雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
D.電容器