單項(xiàng)選擇題非易失性存儲(chǔ)器不包括 ()
A.PROM
B.EEPROM
C.固態(tài)硬盤(pán)
D.高速緩存
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1.單項(xiàng)選擇題以下關(guān)于DRAM和SRAM說(shuō)法錯(cuò)誤的是()
A.DRAM將每個(gè)位存儲(chǔ)為對(duì)一個(gè)電容的充電
B.SRAM對(duì)光干擾敏感,對(duì)電干擾不敏感
C.SRAM主要用于高速緩存
D.SRAM具有雙穩(wěn)態(tài)特性
2.單項(xiàng)選擇題以下關(guān)于DRAM和SRAM說(shuō)法正確的是()
A.DRAM具有雙穩(wěn)態(tài)特性
B.SRAM將每個(gè)位存儲(chǔ)為對(duì)一個(gè)電容的充電
C.DRAM主要用于主存,幀緩沖區(qū)
D.SRAM對(duì)干擾非常敏感
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最新試題
刷新控制電路的主要任務(wù)是解決刷新和()之間的矛盾。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
存儲(chǔ)在能永久保存信息的器件中的程序被稱(chēng)為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001,寫(xiě)出[X]反,正確結(jié)果為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
柵極電平只能維持一段時(shí)間,若要維持所保存的信息,需要對(duì)C1、C2電容充電,此過(guò)程被稱(chēng)為“刷新(refresh)”。刷新過(guò)程也就是讀出過(guò)程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
將十六進(jìn)制數(shù)(1A5)16轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制數(shù),正確結(jié)果為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題