A.DRAM具有雙穩(wěn)態(tài)特性
B.SRAM將每個(gè)位存儲為對一個(gè)電容的充電
C.DRAM主要用于主存，幀緩沖區(qū)
D.SRAM對干擾非常敏感
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A.循環(huán)展開
B.創(chuàng)建多個(gè)累積變量
C.重新變換結(jié)合
D.以上都是
A.丟包
B.吞吐量
C.發(fā)射時(shí)間
D.延遲
A.丟包
B.發(fā)射時(shí)間
C.延遲
D.吞吐量
A.指令高速緩存
B.退役單元
C.分支寄存器
D.指令譯碼
A.消除循環(huán)的低效率
B.減少過程調(diào)用
C.消除不必要的存儲器使用
D.適當(dāng)添加注釋
最新試題
（）又稱字選法，所對應(yīng)的存儲器是字結(jié)構(gòu)的。
主存儲器通常由以下哪些部分組成？（）
將十進(jìn)制數(shù)（-0.288）10轉(zhuǎn)化成二進(jìn)制數(shù)，要求小數(shù)點(diǎn)后保留7位數(shù)值位，正確結(jié)果為（）。
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001，Y=0.1101，求[X -Y]補(bǔ)，正確結(jié)果為（）。
（）又稱為萬國碼，是由許多語言軟件制造商聯(lián)盟制定的可以容納世界上所有文字和符號的字符編碼方案。
使用硬件堆棧時(shí)，其中（）移動。
已知X=10111001，Y=-00101011，求[X +Y]補(bǔ)，正確結(jié)果為（）。
柵極電平只能維持一段時(shí)間，若要維持所保存的信息，需要對C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。
刷新控制電路的主要任務(wù)是解決刷新和（）之間的矛盾。
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001，寫出[X]反，正確結(jié)果為（）。