單項(xiàng)選擇題以下電子產(chǎn)品的測(cè)試方法，屬于破壞性測(cè)試的為（）。

A.選擇性剝層
B.透射電鏡掃描
C.X射線檢測(cè)
D.紅外光譜分析


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1.單項(xiàng)選擇題要觀察半導(dǎo)體器件上的針眼和小孔、鈍化層裂縫等缺陷，應(yīng)使用（）。

A.掃描電子顯微鏡
B.光學(xué)顯微鏡
C.透射電子顯微鏡
D.原子力顯微鏡

2.多項(xiàng)選擇題芯片發(fā)生失效的機(jī)理包括（）。

A.疲勞
B.磨損
C.過壓力
D.過應(yīng)力

3.單項(xiàng)選擇題引起芯片翹曲的原因，是由于施加到元器件上的力（）。

A.過小
B.消失
C.不平衡
D.過大

4.單項(xiàng)選擇題下列封裝形式，最容易發(fā)生底座偏移的為（）。

A.薄型小尺寸封裝
B.球柵陣列封裝
C.單列直插式封裝
D.雙列直插式封裝

5.單項(xiàng)選擇題材料的體積、面積或長(zhǎng)度隨溫度的變化而變化，這是材料的（）。

A.熱膨脹系數(shù)
B.熱失配系數(shù)
C.熱應(yīng)力系數(shù)
D.熱應(yīng)變系數(shù)