絕緣良好的tgδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內(nèi)部有缺陷，則其tgδ將隨電壓的升高而明顯增加。

在現(xiàn)場采用介損儀測量設(shè)備的介損tgδ時，若存在電場干擾，則在任意測試電源極性的情況下，所測得tgδ值一定比真實的tgδ增大。

直流高壓試驗采用高壓硅堆作整流元件時，高壓硅堆上的反峰電壓使用值不能超過硅堆的額定反峰電壓，其額定整流電流應(yīng)大于工作電流，并有一定的裕度。

真空斷路器具有體積小、重量輕、維護工作量小等優(yōu)點，適用于超高壓系統(tǒng)。

將并聯(lián)有晶閘管閥及其電抗器的電容器串接于輸電線路中，并配有旁路斷路器、隔離開關(guān)、串補平臺、支撐絕緣子、控制保護系統(tǒng)等附屬設(shè)備組成的裝置，簡稱可控串補。

將兩臺試驗變壓器串級進行交流耐壓試驗時，若第一級試驗變壓器串級繞組極性接反，會造成最終輸出試驗電壓為零。

在現(xiàn)場相同條件下（好天氣），用介損儀測量小電容試品的tgδ和Cx時，用正接線方法和反接線方法測量結(jié)果是完全相同的。

通過負載試驗可以發(fā)現(xiàn)變壓器油箱蓋或套管法蘭等損耗過大發(fā)熱的缺陷。

當(dāng)電力設(shè)備的額定電壓與實際使用的額定電壓不同時，當(dāng)采用額定電壓較高的設(shè)備以加強絕緣時，應(yīng)按照設(shè)備的額定電壓確定其試驗電壓。

雙斷口的SF6系列斷路器有兩個斷口，為了使各個斷口在分、合閘時承受接近均等的電壓，一般用電容進行均壓。