單項選擇題35kV油浸式串聯(lián)電抗器，在20℃時測量繞組tanδ值不大于（）。
A.0.4%
B.0.5%
C.1.5%
D.3.5%
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1.單項選擇題用介損儀反接線測量小電容量試品（＜50PF）的介損tgδ及Cx時，在附近處有物體（如梯子等）情況下測得的電容值較物體拆除拆除后測得的電容值（）。
A.大
B.相等
C.小
D.以上均不是
2.單項選擇題一條長度為了50m、額定電壓為10kV新的電纜，在20℃時，其絕緣電阻應(yīng)為不小于（）兆歐。
A.200兆歐
B.400兆歐
C.600兆歐
D.800兆歐
最新試題
若儀表刻度不均勻，則在分度線較密的部分，讀數(shù)誤差較大，靈敏度也較低。
題型：判斷題
直流泄漏電流試驗?zāi)芊从炒少|(zhì)絕緣的裂紋、夾層絕緣內(nèi)部受潮及局部斷裂、絕緣的沿面炭化等。
題型：判斷題
絕緣良好的tgδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內(nèi)部有缺陷，則其tgδ將隨電壓的升高而明顯增加。
題型：判斷題
在現(xiàn)場采用介損儀測量設(shè)備的介損tgδ時，若存在電場干擾，則在任意測試電源極性的情況下，所測得tgδ值一定比真實的tgδ增大。
題型：判斷題
超高頻局部放電試驗?zāi)軌虬l(fā)現(xiàn)設(shè)備內(nèi)部發(fā)熱、放電及絕緣缺陷。
題型：判斷題