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電路如下圖所示。已知g_m=1.65Ms，R_G1=R_G2=1MΩ，R_D=R_L=3kΩ，耦合電容C_i=C_o=10μF。試求：
1．電路的中頻增益A_U。 
2．估算電路的下限截止頻率f_L。 
3．當考慮信號源內阻時，高頻增益計算公式。

電路如下圖所示。已知V_DD=20V，R_G=51MΩ，R_G1=200kΩ，R_G2=200kΩ，R_S=22kΩ，場效應管的g_m=2mS。試求： 
1．無自舉電容C時，電路的輸入電阻。
2．有自舉電容C時，電路的輸入電阻。

電路如下圖所示。場效應管的g_m=2mS，r_ds為無窮大，電路中各電容對交流均可視為短路，試求： 
1.電路的電壓增益AU。
2.輸入電阻和輸出電阻。

電路參數如下圖所示，場效應管的U_GS，off=-1V，I_DSS=0.5mA，r_ds為無窮大。試求：
1．靜態(tài)工作點。
2．電壓增益A_U。 
3．輸入電阻和輸出電阻。

電路如下圖a所示，MOS管的轉移特性如下圖b所示。試求：
1．電路的靜態(tài)工作點。
2．電壓增益。 
3．輸入電阻和輸出電阻。

電路如下圖所示，V_DD=18V，所用場效應管為N溝道耗盡型，其跨導g_m=2mA/V。電路參數R_G1=2.2MΩ， R_G2=51kΩ，R_G=10MΩ，R_S=2kΩ，R_D=33kΩ。試求：
1．電壓放大倍數。 
2．若接上負載電阻R_L=100kΩ，求電壓放大倍數。
3．輸入電阻和輸出電阻。 
4．定性說明當源極電阻R_S增大時，電壓放大倍數、輸入電阻、輸出電阻是否發(fā)生變化？如果有變化，如何變化？ 
5. 若源極電阻的旁路電容C_S開路，接負載時的電壓增益下降到原來的百分之幾？

電路如下圖所示，V_DD=24V，所用場效應管為N溝道耗盡型，其參數I_DSS=0.9mA，U_GS，off=-4V，跨導g_m=1.5mA/V。電路參數R_G1=200kΩ，R_G2=64kΩ，R_G=1MΩ，R_D=R_S=R_L=10kΩ。試求： 
1．靜態(tài)工作點。 
2．電壓放大倍數。 
3．輸入電阻和輸出電阻。

試分析如下圖所示各電路能否正常放大，并說明理由。

已知下圖所示中各場效應管工作在恒流區(qū)，請將管子類型、電源V_DD的極性（+、-）、u_GS的極性（>0，≥0，<0，≤0，任意）分別填寫在表格中。