A.劑量建成區(qū)
B.低劑量坪區(qū)
C.高劑量坪區(qū)
D.X射線污染區(qū)
E.劑量跌落區(qū)
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A.照射野平面上出現(xiàn)幾率最大的電子的能量
B.照射野平面上電子的平均能量
C.照射野平面上電子的最大能量
D.照射野平面上1╱3最大電子能量
E.照射野平面上最大射程的電子的能量
A.居里
B.倫琴
C.Gy
D.庫(kù)侖
E.希弗
A.單位劑量大
B.靶區(qū)周邊劑量變化梯度大
C.要求高精確度定位
D.對(duì)輻射抗拒的病灶細(xì)胞無(wú)效
E.靶區(qū)劑量分布不均勻
A.MeV
B.J
C.cm-1
D.MeVcm-1
E.Sv
A.百分深度劑量
B.組織空氣比
C.散射空氣比
D.組織體模比
E.組織最大化
最新試題
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
對(duì)重離子，線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
質(zhì)子束的優(yōu)勢(shì)在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
射野中心軸上百分深度劑量值的大小直接反應(yīng)了射線質(zhì)（能量）的高低。
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度，定位精度和擺位精度。
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn)，而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí)，應(yīng)采用雙平面插植。
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線的曲度，也代表了細(xì)胞對(duì)亞致死損傷的修復(fù)能力。
對(duì)射野輸出劑量的檢測(cè)頻率，加速器高于鈷60機(jī)。
半影為射野邊緣劑量隨離開(kāi)中心軸距離增加而急劇變化的范圍。