A.深部X射線、高能電子線、高劑量率鎖-192后裝放射源
B.鈷-60γ射線、高能電子線、高劑量率銥-192后裝放射源
C.深部X射線、低能電子線、低能X射線
D.鈷-60γ射線、低能電子線、高劑量率銥-192后裝放射源
E.鈷-60γ射線、高能電子線、低劑量率銥-192后裝放射源
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A.溫度
B.氣壓
C.劑量率
D.入射角度
E.入射光子能譜
A.0.6%
B.1.6%
C.3.2%
D.20%
E.40%
A.所有X射線能量范圍應(yīng)使用相同的濾過(guò)板
B.140kV以下用鋁，140kV以上用銅或銅十鋁復(fù)合過(guò)濾
C.使用復(fù)合過(guò)濾板時(shí)應(yīng)沿射線方向先放原子序數(shù)小的，后板原子序數(shù)大的
D.使用濾過(guò)板不會(huì)使射線強(qiáng)度下降
E.經(jīng)過(guò)濾過(guò)板后的X射線的半價(jià)層比原來(lái)低
A.光釋光系統(tǒng)
B.放射光致發(fā)光玻璃劑量學(xué)系統(tǒng)
C.熱釋光劑量計(jì)
D.膠片劑量計(jì)
E.電子個(gè)人劑量計(jì)
A.有絲分裂前期（G2）
B.有絲分裂期（M）
C.DNA合成前期（G1）
D.DNA合成期（S）
E.靜止期（G0）
最新試題
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
關(guān)于組織補(bǔ)償?shù)拿枋?，錯(cuò)誤的是（）。
利用圓形小野旋轉(zhuǎn)集束照射是X（γ）射線SRT（SRS）的基本特征。
半影為射野邊緣劑量隨離開(kāi)中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
對(duì)加速器射野的對(duì)稱(chēng)性和平坦度的檢查應(yīng)每月兩次。
等效射野指的是通過(guò)計(jì)算換算后的方形野。
對(duì)射野輸出劑量的檢測(cè)頻率，加速器高于鈷60機(jī)。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí)，應(yīng)采用雙平面插植。
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn)，而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
射野中心軸上百分深度劑量值的大小直接反應(yīng)了射線質(zhì)（能量）的高低。