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室溫時半導體種的電子和空穴始終在進行著無規(guī)則的熱運動。
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在平衡p-n結中,由內(nèi)件電場VD作用下形成的漂移電流等于載流子濃度差形成的擴散電流,而使p-n結中的靜電流為零。
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產(chǎn)生直接躍遷與間接躍遷的原因主要取決于半導體材料的能帶結構。
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