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產(chǎn)生直接躍遷與間接躍遷的原因主要取決于半導(dǎo)體材料的能帶結(jié)構(gòu)。
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晶體缺陷分為點(diǎn)缺陷,面缺陷和線缺陷?
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判斷題
平面的方位影響受光面接受太陽(yáng)輻射,如果自西向南稍偏東,則受光面接收到的日照輻射,上午較多,下午較少。
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