單項選擇題TOFD技術測量埋藏缺陷長度的精度（）

A.隨著缺陷埋藏深度的增加而降低
B.隨著探頭中心間距增大而降低
C.隨著脈沖寬度的增大而降低
D.以上都對


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1.單項選擇題TOFD對埋藏缺陷的分辨力（）

A.隨著深度的增加而提高
B.隨著探頭中心間距減小而提高
C.隨著脈沖寬度的減小而提高
D.以上都對

2.單項選擇題以下關于耦合劑厚度變化對缺陷深度測量誤差影響的敘述，正確的是（）

A.為減小測量缺陷信號與測量誤差，必須仔細測量出所使用的耦合劑厚度
B.如果測量缺陷信號與直通波到達時間之差，則耦合劑引起的缺陷深度測量誤差很小
C.如果測量缺陷信號到達的絕對時間，則耦合劑引起的測量誤差很小
D.以上敘述都是錯誤的

3.單項選擇題校準探頭間距的有效方法是（）

A.用高精度的長度尺反復測量
B.用專用的激光測距儀反復測量
C.測量標準試塊上不同深度反射體的信號到達時間
D.測量直通波或者底面波信號尖端信號到達的時間

4.單項選擇題探頭中心距的誤差（）

A.對缺陷深度測量精度影響很大
B.對缺陷高度測量精度影響很大
C.對缺陷長度測量精度影響很大
D.對缺陷偏離軸線位置的測量精度影響很大

5.單項選擇題深度分辨力與以下哪一因素無關（）

A.缺陷深度
B.信號脈沖的長度
C.探頭中心間距
D.晶片尺寸