多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

摻雜后，退火的目的是（）。

常壓的硅外延方法有（）。