A.通過(guò)多個(gè)聲束角度的設(shè)定實(shí)現(xiàn)對(duì)復(fù)雜形狀工件的檢測(cè)
B.通過(guò)動(dòng)態(tài)控制聲束偏轉(zhuǎn),可對(duì)工件全深度進(jìn)行聚焦
C.要想獲得圓弧形波陣面,應(yīng)從左到右等間距激勵(lì)振元
D.可在不移動(dòng)探頭的情況下進(jìn)行扇面掃描,從而提高檢測(cè)效率
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A.α射線是一束氦的原子核,帶正電
B.β射線是一束快速運(yùn)動(dòng)的電子,帶負(fù)電
C.γ射線是一種波長(zhǎng)很短的電磁波,不帶電
D.α、β、γ三種射線均不帶電
A.焊接接頭種常見(jiàn)的缺陷是氣孔和冷裂紋
B.母材組織不均勻會(huì)導(dǎo)致噪聲較高
C.焊接接頭晶粒粗大影響檢測(cè)效果
D.應(yīng)使用CSK-ⅡA試塊調(diào)節(jié)靈敏度
A.按管子橫向缺陷的檢測(cè)方法進(jìn)行檢測(cè)
B.利用大K值小晶片短前沿橫波斜探頭進(jìn)行檢測(cè)
C.探頭K值根據(jù)需要確定,當(dāng)一次波掃查不到焊接接頭根部時(shí),可利用三次波檢測(cè)
D.試塊的耦合面曲率應(yīng)與被探管徑相同
A.應(yīng)對(duì)位于定量線及定量線以上缺陷作出缺陷類型和性質(zhì)的判斷
B.原則上采用直射波檢測(cè)缺陷各參數(shù),掃查靈敏度可根據(jù)需要確定,但不得使噪聲回波高度超過(guò)滿屏的20%
C.只須對(duì)位于判廢線及以上的缺陷進(jìn)行各項(xiàng)參數(shù)測(cè)得
D.只須對(duì)新產(chǎn)生的缺陷進(jìn)行各項(xiàng)參數(shù)測(cè)定
A.掃查靈敏度不低于Φ2-12dB
B.當(dāng)板厚<40mm,采用單面雙側(cè),利用直射波和反射波檢測(cè)
C.斜探頭入射點(diǎn)可在CSK-ⅠA試塊上測(cè)試
D.掃描線比例可用CSK-ⅠA試塊測(cè)試
最新試題
下列對(duì)耦合劑應(yīng)該具有的特點(diǎn)的描述,不正確的一項(xiàng)是()
一般認(rèn)為表面波探測(cè)的有效深度約為()
物質(zhì)對(duì)輻射的吸收是隨什么而變()
原子是元素的具體存在,是體現(xiàn)元素性質(zhì)的最小微粒。
底片清晰度與增感屏顆粒度的關(guān)系是()
底片的最佳黑度值與觀片燈的亮度有關(guān),觀片燈亮度改變,最佳黑度值也將改變。
底片清晰度與膠片顆粒度的關(guān)系是()
某超聲波探頭,壓電晶片的頻率常數(shù)Nt=1500m/s晶片厚度為0.3mm,則該探頭工作頻率為()
一個(gè)均勻的輻射光束強(qiáng)度為I0的射線,穿過(guò)一個(gè)厚度為X的物質(zhì),其強(qiáng)度降低量為I,可用I=-μI0X表示,μ為比例常數(shù),此式代表什么現(xiàn)象()
探頭的分辨力()