通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）

利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進半導體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）

影響顯影工藝的因素有（）。

堅膜烘焙在加熱平板上進行，溫度控制在（）。

當需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時，一般使用（）。

以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）

一般情況下，刻蝕完成后需要進行的操作是（）

在顯影過程中，對于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。

刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進行刻蝕，此時的溫度一般設(shè)置在（）

通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達到終點的終點檢測方法是（）