影響顯影工藝的因素有（）。

（）可以通過帶電粒子在盛場作用下做運(yùn)動把粒子進(jìn)行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。

在離子注入完成后，檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問題有（）

高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進(jìn)光刻機(jī)上，那么i線的UV光波長為（）

在顯影過程中，對于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。

刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時的溫度一般設(shè)置在（）

傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（）

電子束蒸發(fā)中有一個特殊的部件是（）

利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）

下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟？（）