刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）

環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。

回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有（）

根據(jù)曝光模式，光制機(jī)的種類(lèi)分為（）。

下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟？（）

鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是（）

以下是離子注入過(guò)程中的主要參數(shù)的是（）

光刻膠對(duì)人部分可見(jiàn)光敏感，但對(duì)（）光不敏感。

電子束蒸發(fā)中有一個(gè)特殊的部件是（）

金屬薄膜制備中常見(jiàn)的濺射方式有（）