以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）

試說明ICT測(cè)試電阻器阻值的原理？為什么要加隔離點(diǎn)？

利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）

刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）

當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí)，一般使用（）。

一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）

在顯影過程中，對(duì)于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。

刻蝕的過程中，對(duì)刻蝕的要求是（）

根據(jù)曝光模式，光制機(jī)的種類分為（）。

影響顯影工藝的因素有（）。