填空題SRAM存儲器的存儲元是(),DRAM存儲器的存儲元是()。

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2.單項選擇題下列關(guān)于磁盤存儲器的描述,不正確的是()。

A.數(shù)據(jù)的寫入和讀出是合用一個磁頭,稱為讀寫磁頭
B.磁盤控制器是主機(jī)和磁盤驅(qū)動器之間的接口
C.磁盤的道密度指沿磁盤半徑方向單位長度上的磁道數(shù)
D.磁盤記錄面外圈的扇區(qū)比內(nèi)圈的扇區(qū)要長,因此每個扇區(qū)記錄的信息也要多

3.單項選擇題在多總線結(jié)構(gòu)中,用于連接高速I/O設(shè)備模塊的總線是()。

A.CPU總線
B.系統(tǒng)總線
C.PCI總線
D.ISA總線

4.單項選擇題下列關(guān)于指令的描述,不正確的是()。

A.指令周期是指CPU執(zhí)行某條指令的時間
B.一個指令周期常常包含若干個CPU周期
C.一個CPU周期包含若干時鐘周期
D.一條機(jī)器指令對應(yīng)一個微程序,微程序是由若干條微指令序列組成

5.單項選擇題在程序的執(zhí)行過程中,cache與主存的地址映射是由()。

A.程序員調(diào)度的
B.操作系統(tǒng)管理的
C.由程序員和操作系統(tǒng)共同協(xié)調(diào)完成的
D.硬件自動完成的

最新試題

動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來存儲信息的。

題型:單項選擇題

存儲器堆棧需要設(shè)置一個專門的硬件寄存器,稱為(),而寄存器堆棧則沒有。

題型:單項選擇題

柵極電平只能維持一段時間,若要維持所保存的信息,需要對C1、C2電容充電,此過程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過程也就是讀出過程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。

題型:單項選擇題

從給定的選項中選擇你認(rèn)為正確的一項。A.半加器B.全加器C.原碼D.補(bǔ)碼E.數(shù)據(jù)校驗F.檢查溢出G.正確H.錯誤I.異或J.與或(1)加法器是由()和相應(yīng)的邏輯電路組成的。(2)定點(diǎn)數(shù)的加減法可以由帶符號位的原碼、反碼和補(bǔ)碼直接參與運(yùn)算,其中()加減法運(yùn)算的實現(xiàn)規(guī)則最簡單,電路實現(xiàn)也最方便。(3)執(zhí)行補(bǔ)碼加減法運(yùn)算一定要(),否則無法確定是否正確。(4)使用雙符號位執(zhí)行加減法運(yùn)算后,若兩個符號位不同,即出現(xiàn)01和10,表示運(yùn)算結(jié)果()。(5)在數(shù)值運(yùn)算中數(shù)值位向符號位進(jìn)位,或符號位向更高位進(jìn)位產(chǎn)生的溢出,可以用這兩個進(jìn)位輸出的()操作來判斷。

題型:問答題

由硬件實現(xiàn)的功能改由軟件模擬來實現(xiàn)的做法被稱為()

題型:單項選擇題

在計算機(jī)存儲層次結(jié)構(gòu)中,以下哪種存儲器技術(shù)能同時具備高速訪問、低功耗和大容量?()

題型:單項選擇題

使用硬件堆棧時,其中()移動。

題型:單項選擇題

()是指參與運(yùn)算的數(shù)的基本位數(shù),是由加法器、寄存器的位數(shù)決定的。

題型:單項選擇題

在堆棧計算機(jī)中,保存操作數(shù)和運(yùn)算結(jié)果的唯一場所是()。

題型:單項選擇題

已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001,寫出[X]反,正確結(jié)果為()。

題型:單項選擇題