單項(xiàng)選擇題雜質(zhì)半導(dǎo)體體現(xiàn)了半導(dǎo)體的（）性。?
A.光敏
B.熱敏
C.摻雜
D.導(dǎo)電
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1.單項(xiàng)選擇題本征激發(fā)體現(xiàn)了半導(dǎo)體的（）特性。
A.光敏性
B.熱敏性
C.摻雜性
D.光敏性和熱敏性
2.單項(xiàng)選擇題在熱力學(xué)零度時(shí)，本征半導(dǎo)體相當(dāng)于（）。?
A.導(dǎo)體
B.超導(dǎo)體
C.絕緣體
D.半導(dǎo)體
3.單項(xiàng)選擇題在室溫下，本征半導(dǎo)體中的載流子數(shù)目（）。
A.很多
B.較多
C.較少
D.極少
4.單項(xiàng)選擇題在電子器件中，用的最多的半導(dǎo)體材料是硅，其原子序號(hào)為（）。?
A.4
B.14
C.24
D.32
最新試題
CG放大器因其輸入電阻過(guò)小，因此沒(méi)什么用處。
題型：判斷題
?6位7段數(shù)碼管動(dòng)態(tài)顯示模塊如圖，要求人眼看到所有數(shù)碼管同時(shí)顯示各自對(duì)應(yīng)的數(shù)字，控制數(shù)碼管位選信號(hào)的動(dòng)態(tài)掃描時(shí)鐘信號(hào)頻率約為多少？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
當(dāng)VGS=0時(shí)，能夠?qū)ǖ腗OS管為（）
題型：多項(xiàng)選擇題
?MOSFET源極漏極間的長(zhǎng)度L越大，溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
題型：判斷題
用作電壓放大器時(shí)，CS放大器不合適的參數(shù)為（）。?
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門(mén)級(jí)原型的符號(hào)有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
CD放大器具有較（）的輸入電阻和較（）的輸出電阻。?????
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
?CG放大器的性能描述合理的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
CG放大器具有較（）的輸入電阻和較（）的輸出電阻。?
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題