在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫(huà)出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程，稱作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（）。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。