晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。

什么是電阻率？它的單位是什么（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

什么是無(wú)源電阻？什么是有源電阻？舉例說(shuō)明。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。