內(nèi)光電效應

半導體中的價帶空穴電流其實就是導帶電子電流的一種等價說法。

AFM通常用來觀測樣品表面形貌。

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導體相互接觸而形成的。

通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。

平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費米能級是相等的。

猝滅劑

在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）

激活劑