單項(xiàng)選擇題在P型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是(),在N型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是()。

A.空穴/自由電子
B.自由電子/空穴
C.空穴/共價(jià)鍵電子
D.負(fù)離子/正離子


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1.單項(xiàng)選擇題N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是()。

A.自由電子
B.空穴
C.束縛電子
D.晶格上的離子

2.單項(xiàng)選擇題P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是()。

A.自由電子
B.空穴
C.束縛電子
D.晶格上的離子

3.單項(xiàng)選擇題關(guān)于P、N型半導(dǎo)體內(nèi)參與導(dǎo)電的介質(zhì),下列說(shuō)法最為合適的是()。

A.自由電子、空穴、位于晶格上的離子
B.無(wú)論P(yáng)型還是N型半導(dǎo)體,自由電子、空穴都是導(dǎo)電介質(zhì)
C.對(duì)于P型半導(dǎo)體,空穴是唯一的導(dǎo)電介質(zhì)
D.對(duì)于N型半導(dǎo)體,空穴是唯一的導(dǎo)電介質(zhì)

4.單項(xiàng)選擇題對(duì)于半導(dǎo)體材料,若(),導(dǎo)電能力減弱。

A.環(huán)境溫度降低
B.摻雜金屬元素
C.增大環(huán)境光照強(qiáng)度
D.摻雜非金屬元素

5.單項(xiàng)選擇題金屬導(dǎo)體的電阻率隨溫度升高而();半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力隨溫度升高而()。

A.升高/升高
B.降低/降低
C.升高/降低
D.降低/升高

最新試題

對(duì)運(yùn)算放大器來(lái)說(shuō),錯(cuò)誤的說(shuō)法是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

集成運(yùn)放的兩個(gè)信號(hào)輸入端分別為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在三極管基本放大電路中,由于靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不合適而出現(xiàn)飽和失真。為了改善失真波形,方便的做法是應(yīng)()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在三極管基本放大電路中,由于靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不合適而出現(xiàn)截止失真。為了改善失真波形,方便的做法是應(yīng)()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

晶體管具有電流放大能力,而放大能源來(lái)自于放大電路中的()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

二極管、三極管、晶閘管分別有()個(gè)PN結(jié),分別有()個(gè)極。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在三極管基本放大電路中,為了獲得最大的不失真電壓放大,應(yīng)該將靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置在三極管的()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

關(guān)于晶閘管應(yīng)用的下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

當(dāng)邏輯變量A=1、B=0、C=1時(shí),求邏輯函數(shù)的值為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

晶閘管關(guān)斷條件是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題