單項選擇題金屬導(dǎo)體的電阻率隨溫度升高而（）；半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力隨溫度升高而（）。
A．升高／升高
B．降低／降低
C．升高／降低
D．降低／升高
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1.單項選擇題關(guān)于N型半導(dǎo)體的下列說法，正確的是（）。
A．只存在一種載流子：自由電子
B．在二極管中，N型半導(dǎo)體一側(cè)接出引線后，是二極管的正極
C．在純凈的硅襯底上，分散三價元素，可形成N型半導(dǎo)體
D．在PNP型的晶體管中，基區(qū)正是由N型半導(dǎo)體構(gòu)成
2.單項選擇題關(guān)于P型半導(dǎo)體的下列說法，錯誤的是（）。
A．空穴是多數(shù)載流子
B．在二極管中，P型半導(dǎo)體一側(cè)接出引線后，是二極管的正極
C．在純凈的硅襯底上，摻雜五價元素，可形成P型半導(dǎo)體
D．在NPN型的晶體管中，基區(qū)正是由P型半導(dǎo)體構(gòu)成
最新試題
晶閘管的結(jié)構(gòu)是（）。
題型：單項選擇題
在運算放大器中，輸出電壓U0與輸入電壓Ui的關(guān)系式為，其中“－”號表示（）。
題型：單項選擇題
晶體管具有電流放大能力，而放大能源來自于放大電路中的（）。
題型：單項選擇題
晶體管作為開關(guān)使用時，主要工作于（）。
題型：單項選擇題
關(guān)于晶閘管應(yīng)用的下列說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
對運算放大器來說，錯誤的說法是（）。
題型：單項選擇題
關(guān)于集成運放的下列說法，正確的是（）。
題型：單項選擇題
可控硅關(guān)斷的條件是（）。
題型：單項選擇題
設(shè)v+、v－分別是理想運放的同相輸入端、反相輸入端的電位；設(shè)i+、i－分別是該兩端的輸入電流。若運放工作于線性區(qū)，則（）。
題型：單項選擇題
關(guān)于晶閘管的下列說法正確的是（）。
題型：單項選擇題